揭秘芯干线：用硬核技术，定义功率器件新高度！
芯干线半导体
氮化镓及碳化硅功率器件领导品牌
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芯干线，是一个专注于第三代半导体功率器件及模块的研发、销售和应用技术服务的品牌。由功率半导体资深海归博士、电源行业市场精英和一群有创业梦想的年轻专业人士所创建的宽禁带功率器件原厂。2022 年获评规模以上企业，2023 年跻身国家级科技型中小企业、国家级高新技术企业，通过 ISO9001 生产质量管理体系认证；2024 年顺利通过 IATF16949 汽车级零部件生产质量管理体系认证，斩获 ASpencore 中国IC设计成就奖等奖项；2025 年再获江苏省潜在独角兽、江苏省创新企业等殊荣。
芯干线自成立以来，深耕于功率半导体GaN HEMT、SiC MOS & SBD、Si MOS & IGBT、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模块的研发、销售和应用技术服务。产品被广泛应用于海洋电子、移动出行、电动工具、低空飞行、消费电子、Ai算力等能源电力转换与应用领域。
费米电气总部位于浙江舟山，分公司遍布南京、深圳、苏州、盐城等国内多地，并延伸至北美与台湾地区，业务版图不断拓展中。
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芯干线的优势：
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强大专家团队
海归博士领衔，集结顶尖功率器件和电源领域精英
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垂直整合理念
以功率半导体技术为核心，垂直整合资源，实现芯片、模块和电源模块的最佳融合
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人性化的解决方案
场景定制技术，让能效革命更懂您的需求
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强化技术壁垒
120+核心专利构筑第三代半导体护城河
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核心产品介绍：
GaN?HEMT
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芯干线GaN HEMT 产品，凭借超高频、高效、低损耗的核心优势，可实现更高功率密度与更小体积，适配多元场景需求。
其产品系列涵盖多型号，以 700V 耐压为核心特性，IDS（漏极电流）覆盖 8A-50A 区间，如 X3G6503ATL 型号支持 50A 大电流，满足高功率场景；RDS (on)（导通电阻）低至 32mΩ，搭配低至 1.5nC 的 Qg（栅极电荷），有效降低损耗、提升效率。
封装形式包含 TOLT、DFN 等多规格，兼顾集成度与适配性，可广泛应用于新能源、储能、通信等领域，为终端设备提供高效紧凑的功率解决方案。
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SiC MOSFET
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芯干线 SiC MOSFET 覆盖 650V-1700V 电压区间，具备高耐压、低导通电阻特性，适配新能源、储能等高压高频场景。
1700V 款（XM17001KT4）：1700V/5A，导通电阻 1.0mΩ，兼顾高压小电流需求；1200V 系列含多规格，如 1XST120016SMC 达 1200V/88A，导通电阻仅 16mΩ，支持超大功率场景；650V 系列则有 X2M65020TL4 等型号，110A 大电流 + 22mΩ 低内阻，适配中大功率应用。
全系列通过不同电压、电流组合，匹配各类高压功率变换场景，助力设备高效低耗运行。
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SiC SBD
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SiC SBD具备零反向恢复、高压高频特性（1700V+），开关损耗降85%；采用TO/DFN等分立封装；适配新能源车OBC、光伏逆变及充电桩，显著提升效率密度。
芯干线 SiC 肖特基二极管（SiC SBD）覆盖 650V、1200V 电压等级，兼具低正向压降与高电流耐受性，适配高效电源、工业电子等场景。
650V 系列提供多规格：小封装款（如 XD065A0065）为 650V/6A，DFN56 封装；中功率款（如 XD6506F8）达 650V/22A，DFN88-4L 封装；大功率款（如 XD065A020T4A）支持 650V/30A（@135℃），TO-247-2 封装，浪涌电流达 160A。
1200V 款（XD120A020T4A）为 1200V/20A（@150℃），TO-247-2 封装，浪涌电流 144A。全系列通过不同封装与参数组合，满足多场景高效整流需求。
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发展历程：
2020年10月，公司在苏州成立
2021年4月，深圳办公室正式开业
2021年7月，第一批氮化镓批量出货
2021年11月，公司总部乔迁南京总部基地
2021年12月，SIC MOSFET批量出货。
2022年4月，获评“中国中小企业成长标杆企业”称号
2022年12月，SIC MOSFET批量出货突破2KK，GaN出货1KK。
2023年1月，荣获“中国GaN功率器件十强”称号
2023年1月，进入国内电驱主驱前五供应商目录
2023年2月，获得功率器件行业新锐奖、SIC行业优秀奖
2023年11月，取得《ISO9001:2016质量管理体系认证》资质证书
2023年12月，通过国家高新技术企业认证
2024年4月，进入全球头端数据中心供应商供应链白名单
2024年5月，IATF16949生产质量体系认证
2024年6月，联合瑞萨半导体签订战略合作协议，共建三代半数字电源实验室
2024年6月，进入国内头部汽车主机厂供应商目录
2024年7月，盐城模块封装厂量产
2024年12月，荣获“2024年第三代半导体应用推动突破奖”
2025年3月，在 2025 年度“中国IC设计成就奖颁奖典礼”上，芯干线凭借氮化镓功率模块X3G65045HMB（650V/45mΩ/半桥模块）脱颖而出，荣获「年度最佳功率器件 / 宽禁带器件」奖项
2025年3月，亮相美国APEC展，产品和技术获得国际市场用户认可
2025年7月，提前圆满完成2025年全年销售目标！
2025年8月，芯干线&瑞萨电子携手亮相“elexcon2025深圳国际电子展”参展
2025年10月，成功斩获 “2025 年江苏省潜在独角兽企业”与 “2025 年创新型中小企业” 双重荣誉认证。
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应用领域：
海洋电子
三代半导体（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）功率器件，凭借高功率密度、高效率、高可靠性，在海洋电子领域应用前景广阔。它们可提升船舰动力、深海勘探设备等的能源效率，降低散热需求，增强海洋恶劣环境适应性，助力设备小型轻量化，还能支撑海上风电等新能源电力转换传输及岸基 / 船基充电，为海洋资源开发提供先进电子硬件保障。
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移动出行
以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，凭耐高压、耐高温、高频高效特性变革移动出行功率电子系统。其应用于新能源汽车电驱主逆变器，可降损耗、提效率，增约 10% 续航并精简体积重量；赋能 800V 高压快充平台，大幅提升充电速度，破解续航与充电焦虑，是汽车电动化核心驱动力。
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低空飞行
三代宽禁带半导体（碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件凭借其耐高压、耐高温、高频高效的特性，在低空飞行器（如无人机和eVTOL）的电驱动系统中扮演着核心角色，显著提升了飞行器的性能与可靠性。
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AI算力
三代宽禁带半导体（尤其是碳化硅-SiC和氮化镓-GaN）功率器件，以其耐高压、耐高温、高频高效的特性，正成为提升AI算力基础设施能源效率的关键。
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能源与动力
碳化硅（SiC）器件与硅基 IGBT 模组是现代能源电力电子核心。SiC 凭高频高效耐高温特性，革新光伏、新能源车等领域，降本增效；IGBT 模组性价比突出，主导大功率场景。二者长期互补，助力电力系统升级，是 “双碳” 战略重要技术支撑。
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消费电子
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在消费电子技术迭代中，硅（Si）、碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）三类半导体材料各展所长，共同推动产品升级。其中，传统硅基器件凭借成熟工艺和成本优势，长期支撑消费电子基础电路运行，是行业发展的基石。
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电动工具
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的三代宽禁带半导体，正重塑电动工具性能格局。SiC 器件高频高效的特性，能提升无绳电动工具电机转速与扭矩，延长续航；GaN HEMT 则凭借超高开关速度，打造小巧轻便的超快充充电器，20 分钟即可满电，大幅提升使用效率与便利性。
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费米电气集团旗下子公司：
芯干线
费米电气旗下专注于功率半导体器件与模块设计研发制造的核心企业
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费米能级
费米电气旗下聚焦终端市场的高端电源模块品牌，核心产品线覆盖工业级与消费级电源模块
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中孚检测
中孚检测是费米电气旗下的专业检测服务公司，专注于半导体器件及模块的可靠性测试。
